South Korea (대한민국)
Yeni Samsung Çip, Bilgisayarları ve Akıllı Telefonları 100 Kat Hızlandıracak
Yeni Samsung Çip, Bilgisayarları ve Akıllı Telefonları 100 Kat Hızlandıracak
Samsung Elektronik, alışılagelmiş olandan 100 kat daha hızlı bilgisayar ve akıllı telefon üretmek için, yarı iletken teknolojisini geliştirdi.
Samsung Bilim ve Teknoloji Geliştirme Enstitüsü, Cuma günü, “ideal yeni madde” ismi verilen grafeni kullanan yeni iletken yapıları (yarı iletkenlerin parçası) geliştirme çalışmalarının Science dergisinin online baskısında yayımlandığını söyledi.
Yeni teknoloji, yarı iletkenlerin performansını artırabiliyor ve grafen kullanarak boyutlarını küçültebiliyor, böylece silikon çiplere yer sağlanabiliyor. Grafen silikondan daha büyük bir elektrik şiddetini iletebildiği için, 2004 yılında geliştirilmesinden beri, yeni nesil materyal olarak anılıyor.
Grafen, bu tarz metallere benzer karakter taşıyor, ve böylece bu maddeyle bir yarı iletkenin gelişimine engel oluşturan akımın kesilmesi zorlaşıyor. Beyin takımı, grafeni silikonla birleştiren bir yöntem sayesinde bu engelin üstesinden geliyor.
kanade
Samsung Electronics has developed semiconductor technology to produce computers and smartphones 100 times faster than conventional ones.
Samsung Advanced Institute of Science and Technology said Friday that its study on the development of structure for new transistors (part of semiconductors) using graphene, dubbed the “dream new material,” has been published in the online edition of the journal Science.
The new technology can enhance the performance of semiconductors and reduce their sizes by using graphene, thus enabling the replacement of silicon chips. Because graphene transmits a larger volume of electricity than silicon, it has been hailed as the next generation material since its development in 2004.
Graphene holds characters similar to those of metal, and thus is difficult to cut off current, something which posed an obstacle to the development of a semiconductor with this material. The think tank has overcome this barrier through a method that integrates graphene with silicon.
19.05.2012 – Dong-A